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IPP045N10N3G

发布时间:2027/10/8 15:03:00 访问次数:28发布企业:深圳市科雨w88有限公司

技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 100 A
Rds On - 漏-源電阻: 3.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V
Qg - 閘極充電: 117 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 214 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: OptiMOS
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 14 ns
互導 - 最小值: 73 S
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 59 ns
系列: OptiMOS 3
原廠包裝數量: 500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 48 ns
標準開啟延遲時間: 27 ns
寬度: 4.4 mm
零件號別名: SP000680794 IPP45N1N3GXK IPP045N10N3GXKSA1
每件重量: 2 g

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